MRF5S19060NR1 vs MRF5S19060MR1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRF5S19060NR1 بواسطة NXP Semiconductors و MRF5S19060MR1 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MRF5S19060NR1 MRF5S19060NR1 - 1930-1990 MHz 12W RF Power LDMOS | NXP

MRF5S19060NR1 - 1930-1990 MHz 12W RF Power LDMOS | NXP

MRF5S19060NR1 ✓ نشط
NXP Semiconductors
MRF5S19060MR1 MRF5S19060MR1 - 12W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz TO-270 | NXP

MRF5S19060MR1 - 12W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz TO-270 | NXP

MRF5S19060MR1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MRF5S19060NR1 MRF5S19060MR1
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة RF Transceivers MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET N-Channel LDMOS RF Power MOSFET
Frequency Range 1930 MHz to 1990 MHz 1930 MHz to 1990 MHz
Output Power (Average) 12 W —
Typical Gain 14 dB at 1.99 GHz —
Drain-Source Voltage (Rated) 65 V —
Test Supply Voltage 28 V —
Test Quiescent Current 750 mA —
العلبة / الحالة TO-270 WB-4 (over-molded plastic, 4-lead) —
نمط التركيب Surface Mount —
Configuration Single, Common-Source —
Application Base station / broadband commercial amplifier —
عدد الدبابيس 5 —
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead Free Status Lead Free —
Operating Mode Class AB (typical RF PA) —
Manufacturer — NXP (formerly Freescale Semiconductor)
Part Number — MRF5S19060MR1
Drain-Source Voltage (Vdss) — 65 V (max)
Drain Current (Id) — 750 mA
Output Power (Pout, avg) — 12 W (N-CDMA)
Output Power (Pout, PEP) — 60 W (typical)
Power Gain (Gps) — 14 dB (typical)
Drain Efficiency (etaD) — 45% (typical)
Operating Voltage — 28 V
العلبة — TO-270 WB-4 (Ceramic)
نوع التركيب — Surface Mount / Flange Mount
Test Signal — 2 x N-CDMA
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Operating Class — Class AB

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر