MRF5S19060NR1 vs MRF5S19060MR1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MRF5S19060NR1 द्वारा NXP Semiconductors और MRF5S19060MR1 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

NXP Semiconductors
MRF5S19060NR1 MRF5S19060NR1 - 1930-1990 MHz 12W RF Power LDMOS | NXP

MRF5S19060NR1 - 1930-1990 MHz 12W RF Power LDMOS | NXP

MRF5S19060NR1 ✓ सक्रिय
NXP Semiconductors
MRF5S19060MR1 MRF5S19060MR1 - 12W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz TO-270 | NXP

MRF5S19060MR1 - 12W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz TO-270 | NXP

MRF5S19060MR1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MRF5S19060NR1 MRF5S19060MR1
ब्रांड NXP Semiconductors NXP Semiconductors
श्रेणी RF Transceivers MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET N-Channel LDMOS RF Power MOSFET
Frequency Range 1930 MHz to 1990 MHz 1930 MHz to 1990 MHz
Output Power (Average) 12 W —
Typical Gain 14 dB at 1.99 GHz —
Drain-Source Voltage (Rated) 65 V —
Test Supply Voltage 28 V —
Test Quiescent Current 750 mA —
पैकेज / केस TO-270 WB-4 (over-molded plastic, 4-lead) —
माउंटिंग स्टाइल Surface Mount —
Configuration Single, Common-Source —
Application Base station / broadband commercial amplifier —
पिन की संख्या 5 —
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead Free Status Lead Free —
Operating Mode Class AB (typical RF PA) —
Manufacturer — NXP (formerly Freescale Semiconductor)
Part Number — MRF5S19060MR1
Drain-Source Voltage (Vdss) — 65 V (max)
Drain Current (Id) — 750 mA
Output Power (Pout, avg) — 12 W (N-CDMA)
Output Power (Pout, PEP) — 60 W (typical)
Power Gain (Gps) — 14 dB (typical)
Drain Efficiency (etaD) — 45% (typical)
Operating Voltage — 28 V
पैकेज — TO-270 WB-4 (Ceramic)
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount / Flange Mount
Test Signal — 2 x N-CDMA
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Operating Class — Class AB

डेटाशीट और संसाधन

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