MRF5S21100HSR5 vs MRF5S21130HSR5 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRF5S21100HSR5 بواسطة NXP Semiconductors و MRF5S21130HSR5 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MRF5S21100HSR5 | MRF5S21130HSR5 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | Obsolete |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) | NXP Semiconductors (formerly Freescale, Motorola) |
| Part Status | Active | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel RF Power MOSFET | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Technology | LDMOS (Laterally Diffused MOS) | — |
| Operating Frequency | 2.16 GHz to 2.17 GHz | 2.11 GHz to 2.17 GHz |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) Max | 65 V | — |
| Test Supply Voltage | 28 V | — |
| Output Power (Pout) | 23 W (CW) | — |
| Power Gain | 13.5 dB (typical) | 13.5 dB (typical) |
| Drain Current (Id) | 1.05 A | — |
| العلبة / الحالة | NI-780S (ceramic flange-mount) | NI-880S ceramic |
| نوع التركيب | Chassis / Flange Mount (through-hole RF) | Surface Mount (SMT) with ceramic body |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40C to +150C (junction) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status from NXP product page] | — |
| Lead-Free | [DATA_NEEDED: lead-free finish] | — |
| Part Number | — | MRF5S21130HSR5 |
| Series | — | RF MOSFET Line / HV5 |
| Test Voltage (Vdd) | — | 28 V |
| Test Current (Idq) | — | 1.2 A |
| Power Output (Pout) | — | 28 W (CW) |
| Drain-Source Voltage (Vdss Rated) | — | 65 V |
| Application | — | W-CDMA base station, TDMA/CDMA, multi-carrier amplifier |
| Status | — | Obsolete (last-time-buy windows closed at authorized distributors) |
| Tape and Reel Pack | — | R5 suffix = 500-piece reel |
| Orderable Lead-Free Status | — | [DATA_NEEDED: lead-free status from NXP PCN] |