MRF6S19100HR3 vs MRF8S18120HR3 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRF6S19100HR3 بواسطة NXP Semiconductors و MRF8S18120HR3 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MRF6S19100HR3 MRF6S19100HR3 - 22W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz N-CDMA | NXP

MRF6S19100HR3 - 22W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz N-CDMA | NXP

MRF6S19100HR3 ✓ نشط
NXP Semiconductors
MRF8S18120HR3 MRF8S18120HR3 - 1.8GHz 72W CW LDMOS RF Power Transistor | NXP

MRF8S18120HR3 - 1.8GHz 72W CW LDMOS RF Power Transistor | NXP

MRF8S18120HR3 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MRF6S19100HR3 MRF8S18120HR3
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number MRF6S19100HR3 MRF8S18120HR3
Device Type RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET) —
Technology N-Channel LDMOS —
Operating Frequency Range 1930 MHz to 1990 MHz —
Output Power (P1dB, Avg) 22 W (N-CDMA Average) —
Power Gain 16.1 dB (typical at 1.99 GHz) —
Drain Voltage (Vds) 28 V —
Quiescent Drain Current (Idq) 900 mA (typical) —
العلبة / الحالة NI-780H-2L (Case 465-06, Style 1) —
نوع التركيب Flanged / Screw-mount with ceramic body Surface Mount / Screw-down heatsink
Lead Style Dual blade (HR3 suffix) —
Operating Mode Class AB (linear) Class AB, Class C
Target Applications N-CDMA base station, TDMA, CDMA, multicarrier amplifier, PCS/cellular radio, WLL —
حالة RoHS Compliant (per NXP product page) Compliant per NXP product page
نوع الترانزستور — LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Frequency Range — 1805 to 1880 MHz
Output Power (CW) — 72 W
Power Gain (typ) — 18.2 dB at 1.81 GHz
Drain-Source Voltage (Rated) — 65 V
Test Drain Voltage (Vdd) — 28 V
Test Quiescent Current (Idq) — 800 mA
Drain Current Rating — 10 uA (leakage spec entry per datasheet)
العلبة — NI-780H (3-pin ceramic, flangeless)
Target Application — GSM, GSM EDGE base station PA

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر