MRF9030MBR1 vs MRF6S9045NBR1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRF9030MBR1 بواسطة NXP Semiconductors و MRF6S9045NBR1 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MRF9030MBR1 MRF9030MBR1 - 30W, 945MHz RF Power MOSFET | NXP / Freescale

MRF9030MBR1 - 30W, 945MHz RF Power MOSFET | NXP / Freescale

MRF9030MBR1 ✓ نشط
NXP Semiconductors
MRF6S9045NBR1 MRF6S9045NBR1 - 880MHz 10W RF Power MOSFET | NXP Semiconductors

MRF6S9045NBR1 - 880MHz 10W RF Power MOSFET | NXP Semiconductors

MRF6S9045NBR1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MRF9030MBR1 MRF6S9045NBR1
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale / Motorola) NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Family RF Sub-Micron MOSFET Line —
نوع الترانزستور N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Configuration Single, common-source Single, common-source
Typical Output Power 30 W at 945 MHz —
Operating Frequency Range DC to 1000 MHz —
Power Gain (typical) 20 dB —
Drain-Source Voltage (Vds) Rating 26 V —
Typical Bias Current 250 mA —
نوع التركيب Surface Mount (flanged ceramic) Surface Mount (flange/ceramic)
العلبة TO-272-2 (ceramic, 2-lead flanged) —
Maximum Dissipation (per Partstack) 139 W —
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) 3 —
Application Broadband RF power amplifier / large-signal common-source amplifier —
Polarity / Channel Mode N-Channel, enhancement-mode —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status from manufacturer page] Compliant
Technology — Lateral DMOS, RF power
Operating Frequency — Up to 1000 MHz (typical 880 MHz)
Drain-Source Voltage (V DSS min) — 68 V
Typical Operating Drain Voltage (V DD) — 28 V
Quiescent Drain Current (I DQ) — 350 mA
Output Power (P out avg) — 10 W
Power Gain (G ps) — 22.7 dB at 880 MHz
Drain Efficiency (η D) — [DATA_NEEDED: drain efficiency %]
Maximum Power Dissipation (P D max) — 175 W
العلبة / الحالة — NI-880H-2L (TO-272-2 variant)
درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: junction/storage temperature range]
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر