MT40A1G8SA-062E vs K4A8G085WB-BICR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A1G8SA-062E بواسطة Micron Technology و K4A8G085WB-BICR بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | MT40A1G8SA-062E | K4A8G085WB-BICR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 2400 Mbps |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time (CAS Latency) | CL22 at 3200 MT/s | — |
| Row Access Time | 19 ns | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| Internal Banks | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Refresh | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) | — |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| Burst Length | BL8, BC4 (burst chop) | — |
| العلبة | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الميزات | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ | — |
| جهد التغذية | — | 1.2 V (VDD/VDDQ) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| عدد الأطراف | — | 78 |
| Temperature Grade | — | Industrial (I-grade) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] |
| Die / Process | — | Samsung 8Gb B-die DDR4 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Management | — | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported |