MT40A512M16TB-062E vs MT40A512M16HA-083E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A512M16TB-062E بواسطة Micron Technology و MT40A512M16HA-083E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT40A512M16TB-062E | MT40A512M16HA-083E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $60.00 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 16 | — |
| معدل البيانات | 1600 MHz (DDR4-3200) | 1.2 GHz data clock; DDR4-2400 class |
| Supply Voltage - VDD/VDDQ | 1.2V ±60mV | — |
| Supply Voltage - VPP | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) | — |
| العلبة | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | Parallel | — |
| الميزات | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| Memory Density | — | 8Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Data Interface | — | Parallel DDR4, 16-bit |
| VDD Supply | — | 1.2 V plus or minus 60 mV |
| VDDQ Supply | — | 1.2 V plus or minus 60 mV |
| VPP Supply | — | 2.5 V, -125 mV to +250 mV |
| I/O Interface | — | 1.2V pseudo open-drain |
| جهد المرجع | — | On-die internal adjustable VREFDQ |
| Refresh Cycle Count | — | 8192 cycles |
| Refresh Time, -40C to 85C | — | 64 ms |
| Refresh Time, >85C to 95C | — | 32 ms |
| Refresh Time, >95C | — | 16 ms |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |