MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63AFR-G7A مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16HA-125 بواسطة Micron Technology و H5TC4G63AFR-G7A بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ نشط
SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT41K256M16HA-125 H5TC4G63AFR-G7A
العلامة التجارية Micron Technology SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) $6.36 —
نوع الذاكرة SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
حجم الذاكرة 4Gbit (256M x 16) —
عرض ناقل البيانات 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
جهد التغذية 1.35 V 1.35V
العلبة 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA
عدد الدبابيس 96 —
نوع التركيب Surface Mount —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to 95°C (case)
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
زمن الوصول CAS 11 Programmable (e.g., 11)
Density — 4Gb
التنظيم — 256M x 16
معدل البيانات — 1600 Mbps (PC3-12800)
Burst Length — 8 and 4
Refresh Period — 7.8us at 85°C
On-Die Termination — Supported
RoHS — Compliant
خالٍ من الهالوجين — Yes
Process Technology — CMOS

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر