NT5AD512M16 vs NT5AD512M16A4-GZ مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5AD512M16 بواسطة Nanya Technology و NT5AD512M16A4-GZ بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT5AD512M16 | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | Nanya Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gbit | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| العلبة | 96-ball FBGA | TFBGA-96 |
| Operating Temperature (Commercial) | 0°C to +95°C | — |
| Operating Temperature (Industrial) | -40°C to +95°C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8Gb |
| جهد التغذية | — | 1.2V |
| أقصى تردد للساعة | — | 1200 MHz |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | Commercial and Industrial |
| Lead-Free | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |