NT5AD512M16 vs NT5AD512M16A4-GZ Comparação
Comparação detalhada lado a lado de NT5AD512M16 por Nanya Technology e NT5AD512M16A4-GZ por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | NT5AD512M16 | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $73,75 | $8,50 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gbit | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Taxa de dados | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | TFBGA-96 |
| Operating Temperature (Commercial) | 0°C to +95°C | — |
| Operating Temperature (Industrial) | -40°C to +95°C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8Gb |
| Tensão de alimentação | — | 1.2V |
| Frequência máxima de clock | — | 1200 MHz |
| Largura do barramento de dados | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| Faixa de temperatura de operação | — | Commercial and Industrial |
| Lead-Free | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |