NT5AD512M16 vs NT5AD512M16A4-GZ Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5AD512M16 par Nanya Technology et NT5AD512M16A4-GZ par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5AD512M16 | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $73,75 | $8,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gbit | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | TFBGA-96 |
| Operating Temperature (Commercial) | 0°C to +95°C | — |
| Operating Temperature (Industrial) | -40°C to +95°C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8Gb |
| Tension d'alimentation | — | 1.2V |
| Fréquence d'horloge maximale | — | 1200 MHz |
| Largeur du bus de données | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| Plage de température de fonctionnement | — | Commercial and Industrial |
| Lead-Free | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |