NT5CB256M16CP-EK vs MT41K256M16RE-125:D مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5CB256M16CP-EK بواسطة Nanya Technology و MT41K256M16RE-125:D بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT5CB256M16CP-EK | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| جهد التغذية | 1.35V (1.425V to 1.575V) | 1.35 V |
| معدل البيانات | DDR3-2133 (CL14) | 1600 MT/s |
| CAS Latency (CL) | 9, 10, 11, 12, 13, 14 | — |
| WRITE Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Posted CAS Additive Latency | Programmable | — |
| Internal Banks | 8 (BA0-BA2) | — |
| العلبة | 96-ball TFBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| درجة حرارة التشغيل | Commercial: 0C to +95C; Industrial: -40C to +95C; Automotive: -40C to +95C | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| زمن الوصول CAS | — | 11 |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |