NT5CC256M16CP-DIH vs H5TC4G63AFR-PBA مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5CC256M16CP-DIH بواسطة Nanya Technology و H5TC4G63AFR-PBA بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIH NT5CC256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIH ✓ نشط
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل NT5CC256M16CP-DIH H5TC4G63AFR-PBA
العلامة التجارية Nanya Technology SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $3.98
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
التنظيم 256M x 16 256M x 16
جهد التغذية 1.35V —
معدل البيانات 1600 Mbps (DDR3L-1600) 1866 Mbps (PC3L-14900)
العلبة TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) 96-ball FBGA
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) Programmable (11, 12, 13) 11, 12, 13
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Burst Length 8 (with on-the-fly burst chop) 8 and 4 (with burst chop)
درجة حرارة التشغيل 0C to +95C (Tc) for commercial, -40C to +95C for industrial/automotive —
RoHS Compliant Compliant
خالٍ من الهالوجين Yes —
Lead Free Yes —
نوع التركيب Surface Mount —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
نطاق درجة حرارة التشغيل — 0°C to +95°C (Tcase)
الواجهة — 16-bit I/O
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر