NT5CC256M16CP-DIH vs H5TC4G63AFR-PBA 比較

詳細並排比較 NT5CC256M16CP-DIH 由 Nanya Technology 與 H5TC4G63AFR-PBA 由 SK hynix. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIH NT5CC256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIH ✓ 啟用中
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ 啟用中

規格比較

參數 NT5CC256M16CP-DIH H5TC4G63AFR-PBA
品牌 Nanya Technology SK hynix
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
單價 (USD) — $3.98
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
組織 256M x 16 256M x 16
供應電壓 1.35V —
資料速率 1600 Mbps (DDR3L-1600) 1866 Mbps (PC3L-14900)
封裝 TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) 96-ball FBGA
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) Programmable (11, 12, 13) 11, 12, 13
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Burst Length 8 (with on-the-fly burst chop) 8 and 4 (with burst chop)
工作溫度 0C to +95C (Tc) for commercial, -40C to +95C for industrial/automotive —
RoHS Compliant Compliant
無鹵素 Yes —
Lead Free Yes —
安裝類型 Surface Mount —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
工作溫度範圍 — 0°C to +95°C (Tcase)
介面 — 16-bit I/O
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

資料表與資源

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