NT5CC256M16CP-DIH vs H5TC4G63AFR-PBA तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16CP-DIH द्वारा Nanya Technology और H5TC4G63AFR-PBA द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIH NT5CC256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIH ✓ सक्रिय
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर NT5CC256M16CP-DIH H5TC4G63AFR-PBA
ब्रांड Nanya Technology SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $3.98
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
संगठन 256M x 16 256M x 16
सप्लाई वोल्टेज 1.35V —
डेटा दर 1600 Mbps (DDR3L-1600) 1866 Mbps (PC3L-14900)
पैकेज TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) 96-ball FBGA
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) Programmable (11, 12, 13) 11, 12, 13
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Burst Length 8 (with on-the-fly burst chop) 8 and 4 (with burst chop)
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +95C (Tc) for commercial, -40C to +95C for industrial/automotive —
RoHS Compliant Compliant
हैलोजन फ्री Yes —
Lead Free Yes —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — 0°C to +95°C (Tcase)
इंटरफ़ेस — 16-bit I/O
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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