NT5CC256M16DP-DI vs H5TC4G63MFR-PBA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5CC256M16DP-DI بواسطة Nanya Technology و H5TC4G63MFR-PBA بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT5CC256M16DP-DI | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| جهد التغذية | 1.35V | — |
| معدل البيانات | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| العلبة | VFBGA-96 | 96-ball FBGA |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C (industrial) | — |
| زمن الوصول CAS | 11, 12, 13 (programmable) | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | BL8, BL4 (with burst chop) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| الواجهة | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |