NT5CC256M16DP-FLNA vs NT5CC256M16DP-DI مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5CC256M16DP-FLNA بواسطة Nanya Technology و NT5CC256M16DP-DI بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT5CC256M16DP-FLNA | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | Nanya Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4 Gb | — |
| جهد التغذية | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| معدل البيانات | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| زمن الوصول CAS | 11, 12, 13 | 11, 12, 13 (programmable) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8, 4 (with burst chop) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| الواجهة | SSTL-15 | Differential clock (CK, CK#) |
| العلبة | BGA-96 (13x9 mm) | VFBGA-96 |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh | Auto self-refresh, auto precharge | Auto-refresh and self-refresh |
| الميزات | Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset | — |
| Density | — | 4Gb |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |