NT5CC256M16DP-FLNA vs NT5CC256M16DP-DI 比較
詳細並排比較 NT5CC256M16DP-FLNA 由 Nanya Technology 與 NT5CC256M16DP-DI 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | NT5CC256M16DP-FLNA | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | Nanya Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4 Gb | — |
| 供應電壓 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| 資料速率 | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| CAS 延遲 | 11, 12, 13 | 11, 12, 13 (programmable) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8, 4 (with burst chop) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| 介面 | SSTL-15 | Differential clock (CK, CK#) |
| 封裝 | BGA-96 (13x9 mm) | VFBGA-96 |
| 工作溫度 | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh | Auto self-refresh, auto precharge | Auto-refresh and self-refresh |
| 功能特色 | Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset | — |
| Density | — | 4Gb |
| 工作溫度範圍 | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |