QPM1002SR vs QPM1002 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ QPM1002SR بواسطة Qorvo و QPM1002 بواسطة Qorvo. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل QPM1002SR QPM1002
العلامة التجارية Qorvo Qorvo
الفئة RF Modules RF Modules
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة GaN T/R Front-End Module (T/R switch + LNA + PA) —
Frequency Range 8.5 GHz to 10.5 GHz 8.5 GHz to 10.5 GHz
Band X-Band —
Receive Gain 25 dB —
Receive Noise Figure 2.2 dB —
Transmit Small-Signal Gain 33 dB —
Saturated Output Power 3 W —
Power Added Efficiency (PAE) 32% —
Process Technology Qorvo QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC
العلبة 5 x 5 mm QFN surface mount, over-mold encapsulant 5 x 5 mm QFN, over-mold encapsulant, surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Die-Attach High thermal conductivity die-attach process —
Primary Application X-Band phased array radar —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
جهد التغذية [DATA_NEEDED: Supply Voltage Range] [DATA_NEEDED: Drain Supply Voltage]
Input/Output Return Loss [DATA_NEEDED: Return Loss Values] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS Compliance Status]
Product Type — GaN MMIC Front-End Module (T/R Module)
Integrated Functions — T/R switch + LNA + PA
Rx Small-Signal Gain — 25 dB
Rx Noise Figure — 2.2 dB
Tx Small-Signal Gain — 33 dB
Saturated Output Power (Psat) — 3 W
Power-Added Efficiency (PAE) — 32%
Max ANT Port Input Power — 2 W
المقاومة الحرارية — [DATA_NEEDED: Theta Jc]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر