QPM1002SR vs QPM1002 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של QPM1002SR מאת Qorvo ו QPM1002 מאת Qorvo. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר QPM1002SR QPM1002
מותג Qorvo Qorvo
קטגוריה RF Modules RF Modules
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה GaN T/R Front-End Module (T/R switch + LNA + PA) —
Frequency Range 8.5 GHz to 10.5 GHz 8.5 GHz to 10.5 GHz
Band X-Band —
Receive Gain 25 dB —
Receive Noise Figure 2.2 dB —
Transmit Small-Signal Gain 33 dB —
Saturated Output Power 3 W —
Power Added Efficiency (PAE) 32% —
Process Technology Qorvo QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC
מארז 5 x 5 mm QFN surface mount, over-mold encapsulant 5 x 5 mm QFN, over-mold encapsulant, surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Die-Attach High thermal conductivity die-attach process —
Primary Application X-Band phased array radar —
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
מתח אספקה [DATA_NEEDED: Supply Voltage Range] [DATA_NEEDED: Drain Supply Voltage]
Input/Output Return Loss [DATA_NEEDED: Return Loss Values] —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS Compliance Status]
Product Type — GaN MMIC Front-End Module (T/R Module)
Integrated Functions — T/R switch + LNA + PA
Rx Small-Signal Gain — 25 dB
Rx Noise Figure — 2.2 dB
Tx Small-Signal Gain — 33 dB
Saturated Output Power (Psat) — 3 W
Power-Added Efficiency (PAE) — 32%
Max ANT Port Input Power — 2 W
התנגדות תרמית — [DATA_NEEDED: Theta Jc]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר