QPM1002SR vs QPM1002 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma QPM1002SR tarafından Qorvo ve QPM1002 tarafından QorvoAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre QPM1002SR QPM1002
Marka Qorvo Qorvo
Kategori RF Modules RF Modules
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon GaN T/R Front-End Module (T/R switch + LNA + PA) —
Frequency Range 8.5 GHz to 10.5 GHz 8.5 GHz to 10.5 GHz
Band X-Band —
Receive Gain 25 dB —
Receive Noise Figure 2.2 dB —
Transmit Small-Signal Gain 33 dB —
Saturated Output Power 3 W —
Power Added Efficiency (PAE) 32% —
Process Technology Qorvo QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC
Paket 5 x 5 mm QFN surface mount, over-mold encapsulant 5 x 5 mm QFN, over-mold encapsulant, surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Die-Attach High thermal conductivity die-attach process —
Primary Application X-Band phased array radar —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Besleme Gerilimi [DATA_NEEDED: Supply Voltage Range] [DATA_NEEDED: Drain Supply Voltage]
Input/Output Return Loss [DATA_NEEDED: Return Loss Values] —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS Compliance Status]
Product Type — GaN MMIC Front-End Module (T/R Module)
Integrated Functions — T/R switch + LNA + PA
Rx Small-Signal Gain — 25 dB
Rx Noise Figure — 2.2 dB
Tx Small-Signal Gain — 33 dB
Saturated Output Power (Psat) — 3 W
Power-Added Efficiency (PAE) — 32%
Max ANT Port Input Power — 2 W
Termal Direnç — [DATA_NEEDED: Theta Jc]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin