UCC21530 vs UCC21540QDWKRQ1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ UCC21530 بواسطة Texas Instruments و UCC21540QDWKRQ1 بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
UCC21530 UCC21530 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21530 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21530 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل UCC21530 UCC21540QDWKRQ1
العلامة التجارية Texas Instruments Texas Instruments
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $2.21
القنوات 2 (isolated dual-channel) —
Peak Output Current (Source) 4 A —
Peak Output Current (Sink) 6 A —
Isolation Type Capacitive, reinforced Reinforced, capacitive coupling
Isolation Rating 5700 Vrms —
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) 125 V/ns minimum —
Max Switching Frequency 5 MHz —
Channel-to-Channel Spacing 3.3 mm 3.3 mm minimum (DWK package)
دبوس التمكين Yes —
Programmable Dead Time Yes (DT pin) —
UVLO Yes, input and output sides 8 V (secondary side)
Target Power Devices IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay typ] —
العلبة SOIC-14 (DWK), surface mount 14-SOIC (DWK)
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] Wide temperature range (automotive)
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD range] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Number of Channels — 2
Isolation Voltage — 5700 VRMS
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 6 A
Dead Time — Programmable (external resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, IGBT, GaN
Configuration Options — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
Automotive Qualification — AEC-Q100
نوع التركيب — Surface Mount

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر