UCC21550AQDWKRQ1 vs UCC21550ADWR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ UCC21550AQDWKRQ1 بواسطة Texas Instruments و UCC21550ADWR بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
UCC21550AQDWKRQ1 UCC21550AQDWKRQ1 - 4A/6A 5kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21550AQDWKRQ1 - 4A/6A 5kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21550AQDWKRQ1 ✓ نشط
Texas Instruments
UCC21550ADWR UCC21550ADWR - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550ADWR - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550ADWR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل UCC21550AQDWKRQ1 UCC21550ADWR
العلامة التجارية Texas Instruments Texas Instruments
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Reinforced isolated dual-channel gate driver —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Number of Channels 2 2 (dual)
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
Isolation Technology Capacitive coupling —
Configuration Two low-side, two high-side, or half-bridge Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
Dead Time Programmable via DT pin Programmable
Disable Function Yes (DIS pin) Yes (DISABLE pin)
Input Threshold Logic TTL and CMOS compatible —
Target Switch Types Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT —
Qualification Automotive (Q1) —
العلبة 14-SOIC (DWK) 16-SOIC (DW)
Part Marking 21550AQ —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] —
Supply Voltage Range (VDD) [DATA_NEEDED: Supply Voltage Range] —
Isolation Type — Reinforced, capacitive coupling
CMTI — > 125 V/ns
Max VDD Output Supply — 25 V
UVLO Threshold Option — 5 V
Driven Devices — Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT
Junction Temperature Range — -40C to +150C
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر