UCC21550AQDWKRQ1 vs UCC21550ADWR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma UCC21550AQDWKRQ1 tarafından Texas Instruments ve UCC21550ADWR tarafından Texas InstrumentsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Texas Instruments
UCC21550AQDWKRQ1 UCC21550AQDWKRQ1 - 4A/6A 5kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21550AQDWKRQ1 - 4A/6A 5kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21550AQDWKRQ1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre UCC21550AQDWKRQ1 UCC21550ADWR
Marka Texas Instruments Texas Instruments
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Reinforced isolated dual-channel gate driver —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Number of Channels 2 2 (dual)
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
Isolation Technology Capacitive coupling —
Configuration Two low-side, two high-side, or half-bridge Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
Dead Time Programmable via DT pin Programmable
Disable Function Yes (DIS pin) Yes (DISABLE pin)
Input Threshold Logic TTL and CMOS compatible —
Target Switch Types Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT —
Qualification Automotive (Q1) —
Paket 14-SOIC (DWK) 16-SOIC (DW)
Part Marking 21550AQ —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] —
Supply Voltage Range (VDD) [DATA_NEEDED: Supply Voltage Range] —
Isolation Type — Reinforced, capacitive coupling
CMTI — > 125 V/ns
Max VDD Output Supply — 25 V
UVLO Threshold Option — 5 V
Driven Devices — Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT
Junction Temperature Range — -40C to +150C
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin