VNQ660SP-E vs VNQ660SPTR-E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ VNQ660SP-E بواسطة STMicroelectronics و VNQ660SPTR-E بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل VNQ660SP-E VNQ660SPTR-E
العلامة التجارية STMicroelectronics STMicroelectronics
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
البنية الطوبولوجية High-Side Switch (Solid State Relay) —
Number of Channels 4 (Quad) 4
Technology STMicroelectronics VIPower M0-3 ST VIPower M0-3 (vertical DMOS)
Supply Voltage (Vcc) 6 V to 36 V —
On-State Resistance (RDS(on)) 40 mOhm per channel (typical) 40 mOhm typical (per channel)
Output Current per Channel 6 A continuous —
Output Current (Peak) [DATA_NEEDED: peak current per channel] —
Input Type CMOS-compatible logic inputs —
Off-State Open-Load Detection Yes —
Undervoltage Shutdown Yes —
Overvoltage Shutdown / Clamp Yes —
الإيقاف الحراري Yes —
Current Limitation Yes —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +125 C
العلبة PowerSO-10 (Exposed Bottom Pad) PowerSO-10 with exposed bottom pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
زمن تأخير التشغيل 40 us (typ) —
الوظيفة — Quad-channel high-side solid-state relay
Switch Type — High-side N-channel power MOSFET
Supply Voltage (VCC) — 6 V to 36 V
Maximum Continuous Output Current (per channel) — 6 A
Input Compatibility — CMOS logic-level inputs
Protection Features — Thermal shutdown, overvoltage clamp, undervoltage shutdown, open-load detection (off state), reverse battery protection
Status Feedback — Analog status flag per channel
Off-State Quiescent Current — [DATA_NEEDED: standby Iq]
Maximum Power Dissipation — 113.6 W (with proper thermal design)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر