VNQ660SP-E vs VNQ660SPTR-E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار VNQ660SP-E توسط STMicroelectronics و VNQ660SPTR-E توسط STMicroelectronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر VNQ660SP-E VNQ660SPTR-E
برند STMicroelectronics STMicroelectronics
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
توپولوژی High-Side Switch (Solid State Relay) —
Number of Channels 4 (Quad) 4
Technology STMicroelectronics VIPower M0-3 ST VIPower M0-3 (vertical DMOS)
Supply Voltage (Vcc) 6 V to 36 V —
On-State Resistance (RDS(on)) 40 mOhm per channel (typical) 40 mOhm typical (per channel)
Output Current per Channel 6 A continuous —
Output Current (Peak) [DATA_NEEDED: peak current per channel] —
Input Type CMOS-compatible logic inputs —
Off-State Open-Load Detection Yes —
Undervoltage Shutdown Yes —
Overvoltage Shutdown / Clamp Yes —
خاموشی حرارتی Yes —
Current Limitation Yes —
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +125 C
بسته‌بندی PowerSO-10 (Exposed Bottom Pad) PowerSO-10 with exposed bottom pad
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
زمان تأخیر روشن شدن 40 us (typ) —
عملکرد — Quad-channel high-side solid-state relay
Switch Type — High-side N-channel power MOSFET
Supply Voltage (VCC) — 6 V to 36 V
Maximum Continuous Output Current (per channel) — 6 A
Input Compatibility — CMOS logic-level inputs
Protection Features — Thermal shutdown, overvoltage clamp, undervoltage shutdown, open-load detection (off state), reverse battery protection
Status Feedback — Analog status flag per channel
Off-State Quiescent Current — [DATA_NEEDED: standby Iq]
Maximum Power Dissipation — 113.6 W (with proper thermal design)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت