VNQ660SP-E vs VNQ660SPTR-E השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של VNQ660SP-E מאת STMicroelectronics ו VNQ660SPTR-E מאת STMicroelectronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר VNQ660SP-E VNQ660SPTR-E
מותג STMicroelectronics STMicroelectronics
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
טופולוגיה High-Side Switch (Solid State Relay) —
Number of Channels 4 (Quad) 4
Technology STMicroelectronics VIPower M0-3 ST VIPower M0-3 (vertical DMOS)
Supply Voltage (Vcc) 6 V to 36 V —
On-State Resistance (RDS(on)) 40 mOhm per channel (typical) 40 mOhm typical (per channel)
Output Current per Channel 6 A continuous —
Output Current (Peak) [DATA_NEEDED: peak current per channel] —
Input Type CMOS-compatible logic inputs —
Off-State Open-Load Detection Yes —
Undervoltage Shutdown Yes —
Overvoltage Shutdown / Clamp Yes —
כיבוי תרמי Yes —
Current Limitation Yes —
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +125 C
מארז PowerSO-10 (Exposed Bottom Pad) PowerSO-10 with exposed bottom pad
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
זמן השהיית הפעלה 40 us (typ) —
פונקציה — Quad-channel high-side solid-state relay
Switch Type — High-side N-channel power MOSFET
Supply Voltage (VCC) — 6 V to 36 V
Maximum Continuous Output Current (per channel) — 6 A
Input Compatibility — CMOS logic-level inputs
Protection Features — Thermal shutdown, overvoltage clamp, undervoltage shutdown, open-load detection (off state), reverse battery protection
Status Feedback — Analog status flag per channel
Off-State Quiescent Current — [DATA_NEEDED: standby Iq]
Maximum Power Dissipation — 113.6 W (with proper thermal design)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר