VNQ660SP vs VNQ660SP-E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ VNQ660SP بواسطة STMicroelectronics و VNQ660SP-E بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل VNQ660SP VNQ660SP-E
العلامة التجارية STMicroelectronics STMicroelectronics
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Part Number VNQ660SP —
Manufacturer STMicroelectronics —
Technology VIPower M0-3 STMicroelectronics VIPower M0-3
الوظيفة Quad Channel High-Side Solid State Relay —
Number of Channels 4 4 (Quad)
تكوين الخرج High-Side (N-Channel MOSFET) —
On-Resistance RDS(on) per Channel 50 mΩ (typical) —
Continuous Output Current per Channel 6 A —
Supply Voltage VCC 10 V to 36 V —
Input Compatibility CMOS-compatible logic inputs —
Open-Load Detection Yes (off-state) —
Undervoltage Shutdown Yes Yes
Overvoltage Shutdown Yes —
Overvoltage Clamp Yes (active avalanche) —
الإيقاف الحراري Yes Yes
Current Limitation Yes Yes
العلبة PowerSO-10 (10-pin with exposed pad) PowerSO-10 (Exposed Bottom Pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
البنية الطوبولوجية — High-Side Switch (Solid State Relay)
Supply Voltage (Vcc) — 6 V to 36 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 40 mOhm per channel (typical)
Output Current per Channel — 6 A continuous
Output Current (Peak) — [DATA_NEEDED: peak current per channel]
Input Type — CMOS-compatible logic inputs
Off-State Open-Load Detection — Yes
Overvoltage Shutdown / Clamp — Yes
درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
حالة RoHS — Compliant
زمن تأخير التشغيل — 40 us (typ)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر