VNQ660SP vs VNQ660SP-E השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של VNQ660SP מאת STMicroelectronics ו VNQ660SP-E מאת STMicroelectronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר VNQ660SP VNQ660SP-E
מותג STMicroelectronics STMicroelectronics
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Part Number VNQ660SP —
Manufacturer STMicroelectronics —
Technology VIPower M0-3 STMicroelectronics VIPower M0-3
פונקציה Quad Channel High-Side Solid State Relay —
Number of Channels 4 4 (Quad)
תצורת מוצא High-Side (N-Channel MOSFET) —
On-Resistance RDS(on) per Channel 50 mΩ (typical) —
Continuous Output Current per Channel 6 A —
Supply Voltage VCC 10 V to 36 V —
Input Compatibility CMOS-compatible logic inputs —
Open-Load Detection Yes (off-state) —
Undervoltage Shutdown Yes Yes
Overvoltage Shutdown Yes —
Overvoltage Clamp Yes (active avalanche) —
כיבוי תרמי Yes Yes
Current Limitation Yes Yes
מארז PowerSO-10 (10-pin with exposed pad) PowerSO-10 (Exposed Bottom Pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טופולוגיה — High-Side Switch (Solid State Relay)
Supply Voltage (Vcc) — 6 V to 36 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 40 mOhm per channel (typical)
Output Current per Channel — 6 A continuous
Output Current (Peak) — [DATA_NEEDED: peak current per channel]
Input Type — CMOS-compatible logic inputs
Off-State Open-Load Detection — Yes
Overvoltage Shutdown / Clamp — Yes
טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
סטטוס RoHS — Compliant
זמן השהיית הפעלה — 40 us (typ)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר