VNQ660SPTR-E vs VNQ660SP-E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ VNQ660SPTR-E بواسطة STMicroelectronics و VNQ660SP-E بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل VNQ660SPTR-E VNQ660SP-E
العلامة التجارية STMicroelectronics STMicroelectronics
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Quad-channel high-side solid-state relay —
Technology ST VIPower M0-3 (vertical DMOS) STMicroelectronics VIPower M0-3
Number of Channels 4 4 (Quad)
Switch Type High-side N-channel power MOSFET —
Supply Voltage (VCC) 6 V to 36 V —
Maximum Continuous Output Current (per channel) 6 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 40 mOhm typical (per channel) 40 mOhm per channel (typical)
Input Compatibility CMOS logic-level inputs —
Protection Features Thermal shutdown, overvoltage clamp, undervoltage shutdown, open-load detection (off state), reverse battery protection —
Status Feedback Analog status flag per channel —
Off-State Quiescent Current [DATA_NEEDED: standby Iq] —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة PowerSO-10 with exposed bottom pad PowerSO-10 (Exposed Bottom Pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Maximum Power Dissipation 113.6 W (with proper thermal design) —
حالة RoHS Compliant Compliant
البنية الطوبولوجية — High-Side Switch (Solid State Relay)
Supply Voltage (Vcc) — 6 V to 36 V
Output Current per Channel — 6 A continuous
Output Current (Peak) — [DATA_NEEDED: peak current per channel]
Input Type — CMOS-compatible logic inputs
Off-State Open-Load Detection — Yes
Undervoltage Shutdown — Yes
Overvoltage Shutdown / Clamp — Yes
الإيقاف الحراري — Yes
Current Limitation — Yes
زمن تأخير التشغيل — 40 us (typ)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر