VNQ660SPTR-E vs VNQ660SP-E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار VNQ660SPTR-E توسط STMicroelectronics و VNQ660SP-E توسط STMicroelectronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر VNQ660SPTR-E VNQ660SP-E
برند STMicroelectronics STMicroelectronics
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Quad-channel high-side solid-state relay —
Technology ST VIPower M0-3 (vertical DMOS) STMicroelectronics VIPower M0-3
Number of Channels 4 4 (Quad)
Switch Type High-side N-channel power MOSFET —
Supply Voltage (VCC) 6 V to 36 V —
Maximum Continuous Output Current (per channel) 6 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 40 mOhm typical (per channel) 40 mOhm per channel (typical)
Input Compatibility CMOS logic-level inputs —
Protection Features Thermal shutdown, overvoltage clamp, undervoltage shutdown, open-load detection (off state), reverse battery protection —
Status Feedback Analog status flag per channel —
Off-State Quiescent Current [DATA_NEEDED: standby Iq] —
دمای کاری -40 C to +125 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
بسته‌بندی PowerSO-10 with exposed bottom pad PowerSO-10 (Exposed Bottom Pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Maximum Power Dissipation 113.6 W (with proper thermal design) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
توپولوژی — High-Side Switch (Solid State Relay)
Supply Voltage (Vcc) — 6 V to 36 V
Output Current per Channel — 6 A continuous
Output Current (Peak) — [DATA_NEEDED: peak current per channel]
Input Type — CMOS-compatible logic inputs
Off-State Open-Load Detection — Yes
Undervoltage Shutdown — Yes
Overvoltage Shutdown / Clamp — Yes
خاموشی حرارتی — Yes
Current Limitation — Yes
زمان تأخیر روشن شدن — 40 us (typ)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت