YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WB-BCTD مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ YZ48G16V-F9HPI-M بواسطة Loongtion و K4A8G165WB-BCTD بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Loongtion | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| معدل البيانات | 3200 MT/s | 2666 Mbps |
| العلبة | FBGA96 | 96FBGA |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +85°C | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| الواجهة | DDR4 | DDR4 (parallel, double data rate) |
| عدد الأطراف | 96 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| عرض ناقل البيانات | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0C to +85C |
| Die Generation | — | B-die |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |