YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WB-BCTD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של YZ48G16V-F9HPI-M מאת Loongtion ו K4A8G165WB-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| מותג | Loongtion | Samsung Electronics |
| קטגוריה | DRAM | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| ארגון | 512M x 16 | 512M x 16 |
| קצב נתונים | 3200 MT/s | 2666 Mbps |
| מארז | FBGA96 | 96FBGA |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +85°C | — |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| ממשק | DDR4 | DDR4 (parallel, double data rate) |
| מספר פינים | 96 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| רוחב אפיק נתונים | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| טמפרטורת פעולה | — | 0C to +85C |
| Die Generation | — | B-die |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |