YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WB-BCTD Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng YZ48G16V-F9HPI-M sa pamamagitan ng Loongtion at K4A8G165WB-BCTD sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Brand | Loongtion | Samsung Electronics |
| Kategorya | DRAM | DRAM |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisasyon | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Rate ng Data | 3200 MT/s | 2666 Mbps |
| Packhaging | FBGA96 | 96FBGA |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | -40°C to +85°C | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | — |
| Interface | DDR4 | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Bilang ng Pin | 96 | — |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Tindminan RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| Width ng Data Bus | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Temperature na Operasyon | — | 0C to +85C |
| Die Generation | — | B-die |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| Latensya ng CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |