BSC014N04LSATMA1 vs BSZ031NE2LS5ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC014N04LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSZ031NE2LS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSZ031NE2LS5ATMA1 - 25V N-Ch 3.1mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSZ031NE2LS5ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC014N04LSATMA1 | BSZ031NE2LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C | — |
| প্যাকেজ | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL] |
| Part Number | — | BSZ031NE2LS5ATMA1 |
| Technology / Platform | — | OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 3.1 mOhm |
| RDS(on) typical @ VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 30 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |