BSC027N04LSGATMA1 vs BSC011N03LSIATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC027N04LSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC011N03LSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC027N04LSGATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 1.1mΩ Power MOSFET | Infineon

BSC011N03LSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 1.1mΩ Power MOSFET | Infineon

BSC011N03LSIATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC027N04LSGATMA1 BSC011N03LSIATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS™ 30 V
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed IDM value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
পাওয়ার ডিসিপেশন (TC=25°C) 83 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +150°C —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (Surface Mount)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) —
MSL লেভেল 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
হ্যালোজেন মুক্ত Yes —
Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — 1.1 mΩ (typical)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation at TC=25°C — 96 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55 °C to +150 °C

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট