BSC033N08NS5SCATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC033N08NS5SCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC027N10NS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC033N08NS5SCATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় NRND
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 100 V
Continuous Drain Current (Tc) 144 A —
Power Dissipation (Tc) 136 W 214 W
RDS(on) max @ VGS=10V 3.3 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Thermal Resistance RthJC 0.86 K/W —
প্যাকেজ PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +175C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Technology Trench (OptiMOS 5) OptiMOS 5 (100V)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট