BSC033N08NS5SCATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC033N08NS5SCATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC027N10NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC033N08NS5SCATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال NRND
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 100 V
Continuous Drain Current (Tc) 144 A —
Power Dissipation (Tc) 136 W 214 W
RDS(on) max @ VGS=10V 3.3 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Thermal Resistance RthJC 0.86 K/W —
پیکیج PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Technology Trench (OptiMOS 5) OptiMOS 5 (100V)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں