BSC033N08NS5SCATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC033N08NS5SCATMA1 tarafından Infineon ve BSC027N10NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC033N08NS5SCATMA1 | BSC027N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | NRND |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | 144 A | — |
| Power Dissipation (Tc) | 136 W | 214 W |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 3.3 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Thermal Resistance RthJC | 0.86 K/W | — |
| Paket | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 (100V) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Part Number | — | BSC027N10NS5ATMA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 194 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Qualification | — | Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) |