BSC109N10NS3GATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC109N10NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPB35N10S3L26ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 - 100V 63A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC109N10NS3GATMA1 - 100V 63A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC109N10NS3GATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 - 100V 35A N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA1 - 100V 35A N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC109N10NS3GATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 63 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 78 W —
RDS(on) Max 10.9 mOhm at VGS=10 V —
Technology OptiMOS 3 —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) 26 nC —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +175C —
পিন সংখ্যা 8 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Avalanche Energy Rated Yes —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T
Channel Type — N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট