BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC0911NDATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC360N15NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC0911NDATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC360N15NS3GATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 - 25V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

BSC0911NDATMA1 - 25V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

BSC0911NDATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC360N15NS3GATMA1 BSC0911NDATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC360N15NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 74 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +150°C (junction) —
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL লেভেল 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Family — OptiMOS 25V
Configuration — Dual N-Channel (2 N-CH)
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 30 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট