BSS123NH6327XTSA1 vs 2N7002L তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS123NH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও 2N7002L নির্দিষ্ট onsemi. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
onsemi
2N7002L 2N7002L - 60V N-Channel MOSFET, SOT-23 | onsemi

2N7002L - 60V N-Channel MOSFET, SOT-23 | onsemi

2N7002L ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSS123NH6327XTSA1 2N7002L
ব্র্যান্ড Infineon onsemi
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies onsemi
Part Number BSS123NH6327XTSA1 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 190 mA (Ta) 115 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 200 mW (Ta), 225 mW max
RDS(on) Max 6 Ω @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] 1 V to 2.5 V
Gate-Source Voltage Max (VGS) ±20 V —
প্যাকেজ PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (SOT-23-3)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +150 °C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free lead plating) —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) —
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Technology — High cell density trench MOSFET
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
RoHS স্ট্যাটাস — [DATA_NEEDED: RoHS status]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট