BSS123NH6327XTSA1 vs 2N7002L Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS123NH6327XTSA1 tarafından Infineon ve 2N7002L tarafından onsemiAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS123NH6327XTSA1 2N7002L
Marka Infineon onsemi
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies onsemi
Part Number BSS123NH6327XTSA1 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 190 mA (Ta) 115 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 200 mW (Ta), 225 mW max
RDS(on) Max 6 Ω @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] 1 V to 2.5 V
Gate-Source Voltage Max (VGS) ±20 V —
Paket PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (SOT-23-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free lead plating) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Transistor Türü — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Technology — High cell density trench MOSFET
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
RoHS Durumu — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin