BSS123NH6327XTSA1 vs 2N7002L So sánh

So sánh chi tiết song song của BSS123NH6327XTSA1 bằng Infineon và 2N7002L bằng onsemi. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
onsemi
2N7002L 2N7002L - 60V N-Channel MOSFET, SOT-23 | onsemi

2N7002L - 60V N-Channel MOSFET, SOT-23 | onsemi

2N7002L ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSS123NH6327XTSA1 2N7002L
Thương hiệu Infineon onsemi
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies onsemi
Part Number BSS123NH6327XTSA1 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 190 mA (Ta) 115 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 200 mW (Ta), 225 mW max
RDS(on) Max 6 Ω @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] 1 V to 2.5 V
Gate-Source Voltage Max (VGS) ±20 V —
Hộp PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (SOT-23-3)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +150 °C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free lead plating) —
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Kiểu transitor — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Technology — High cell density trench MOSFET
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
Trạng thái RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá