BSS123NH6327XTSA1 vs BSL316CH6327XTSA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS123NH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSL316CH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSS123NH6327XTSA1 | BSL316CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSS123NH6327XTSA1 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 190 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| RDS(on) Max | 6 Ω @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Gate-Source Voltage Max (VGS) | ±20 V | — |
| প্যাকেজ | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| RoHS Compliance | Yes (Pb-free lead plating) | — |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Part Family | — | OptiMOS small-signal complementary MOSFET |
| Configuration | — | Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) |
| Continuous Drain Current (N-channel ID) | — | 1.4 A |
| Continuous Drain Current (P-channel ID) | — | 1.5 A |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | -55C to +150C (junction) |
| Technology | — | OptiMOS low-voltage MOSFET |
| Channel Type | — | N-channel + P-channel (dual) |
| পিন সংখ্যা | — | 6 |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] |