H5AN8G6NAFR-UHC vs MT40A512M16JY-075E তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN8G6NAFR-UHC নির্দিষ্ট SK hynix ও MT40A512M16JY-075E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ সক্রিয়
Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার H5AN8G6NAFR-UHC MT40A512M16JY-075E
ব্র্যান্ড SK hynix Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM (CMOS) DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gbit —
সংগঠন 512M x 16 512M x 16
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V —
ডেটা রেট 2400 MT/s 2666 MT/s
Clock Architecture Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous —
প্যাকেজ 96-ball FBGA (TFBGA) 96-FBGA (8x14)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা 0C to +85C —
Refresh Auto self-refresh —
Precharge Auto precharge function —
Reset Asynchronous reset function —
Data Mask DM function supported —
Termination Dynamic on-chip termination (ODT) —
Calibration ZQ calibration function —
Error Checking CRC function —
Write Leveling Write leveling function supported —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
মেমরি সাইজ — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.14V to 1.26V
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
ইন্টারফেস — Parallel
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — 0°C to +95°C (TC)
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
বৈশিষ্ট্য — Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট