H5AN8G6NAFR-UHC vs MT40A512M16JY-075E So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN8G6NAFR-UHC bằng SK hynix và MT40A512M16JY-075E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Hoạt động
Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN8G6NAFR-UHC MT40A512M16JY-075E
Thương hiệu SK hynix Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM (CMOS) DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gbit —
Tổ chức 512M x 16 512M x 16
Điện áp cung cấp 1.2 V —
Tốc độ dữ liệu 2400 MT/s 2666 MT/s
Clock Architecture Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous —
Hộp 96-ball FBGA (TFBGA) 96-FBGA (8x14)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động 0C to +85C —
Refresh Auto self-refresh —
Precharge Auto precharge function —
Reset Asynchronous reset function —
Data Mask DM function supported —
Termination Dynamic on-chip termination (ODT) —
Calibration ZQ calibration function —
Error Checking CRC function —
Write Leveling Write leveling function supported —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Kích thước bộ nhớ — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.14V to 1.26V
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Giao diện — Parallel
Khoảng nhiệt độ hoạt động — 0°C to +95°C (TC)
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
Tính năng — Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá