H5AN8G6NAFR-UHC vs MT40A512M16JY-075E השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G6NAFR-UHC מאת SK hynix ו MT40A512M16JY-075E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G6NAFR-UHC | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| ארגון | 512M x 16 | 512M x 16 |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| קצב נתונים | 2400 MT/s | 2666 MT/s |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| מארז | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-FBGA (8x14) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | — |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| גודל זיכרון | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| ממשק | — | Parallel |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| תכונות | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |