H5AN8G6NDJR-UHC vs K4A8G165WC-BCRC তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN8G6NDJR-UHC নির্দিষ্ট SK hynix ও K4A8G165WC-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electro-Mechanics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5AN8G6NDJR-UHC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | Samsung Electro-Mechanics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | EEPROM |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | — | In Stock |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $19.69 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| সংগঠন | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Speed Grade | 3200 Mbps (PC4-25600) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| প্যাকেজ | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-FBGA (TFBGA) |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Minimum Operating Temperature | 0 °C | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| Additional Features | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling | — |
| মেমরি সাইজ | — | 8 Gbit |
| ডেটা রেট | — | 2400 Mbps |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| ইন্টারফেস | — | Parallel, 16-bit DDR |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0 C to +95 C |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| বৈশিষ্ট্য | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |