H5AN8G6NDJR-UHC vs K4A8G165WC-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NDJR-UHC بذریعہ SK hynix اور K4A8G165WC-BCRC بذریعہ Samsung Electro-Mechanics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ فعال
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5AN8G6NDJR-UHC K4A8G165WC-BCRC
برانڈ SK hynix Samsung Electro-Mechanics
زمرہ Memory ICs EEPROM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $19.69
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
تنظیم 512M x 16 512M x 16
Speed Grade 3200 Mbps (PC4-25600) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Number of Terminals 96 —
پیکیج FBGA-96 (13x7.5 mm) 96-FBGA (TFBGA)
Package Shape RECTANGULAR —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Minimum Operating Temperature 0 °C —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Additional Features Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling —
میموری سائز — 8 Gbit
ڈیٹا ریٹ — 2400 Mbps
Clock Frequency — 1333 MHz
سپلائی وولٹیج — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
انٹرفیس — Parallel, 16-bit DDR
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0 C to +95 C
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
خصوصیات — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں